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SK海力士加速推进超300层V10 NAND闪存 目标2027年量产

来源: 作者:心靈之曲 人气: 发布时间:2025-12-12
摘要:12月9日最新消息,据Trendforce披露,SK海力士正式宣布,将于2027年初启动第十代V10NAND闪存的量产工作,其关键创新在于全球首发300余层堆叠结构,并首次在NAND产品中集成混合键合技术(HybridBonding)。该工艺采用“分晶圆制造 垂直键合”策略:先独立制备

12月9日最新消息,据trendforce披露,sk海力士正式宣布,将于2027年初启动第十代v10 nand闪存的量产工作,其关键创新在于全球首发300余层堆叠结构,并首次在nand产品中集成混合键合技术(hybrid bonding)。

该工艺采用“分晶圆制造 垂直键合”策略:先独立制备存储阵列晶圆与外围逻辑晶圆,再通过高精度混合键合实现三维集成,最终构建出统一的高性能存储单元,在良率控制、I/O带宽及制造成本方面均实现显著优化。

这一决策大幅超前于行业普遍预期——此前主流观点认为,混合键合技术需待400层以上堆叠才具备量产可行性。

SK海力士提前在300层节点实现该技术的商业化落地,意在抢占技术制高点,快速响应AI训练、大型数据中心等场景对超高密度、低延迟闪存产品的强劲增长需求。

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与此同时,产能层面亦同步提速:受益于企业级固态硬盘(eSSD)订单持续攀升,其第九代NAND产线目前已基本处于满负荷运转状态。公司正加紧提升现有代际产品的交付能力,以保障第十代技术规模量产前的市场平稳衔接。

责任编辑:心靈之曲
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